自作のためのお勉強　〜メモリ編〜

しらなかったことを中心にいくつか書いていきましょう。

メモリの種類について

最初にＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）というものができました。
これはＣＰＵの１クロックあたり1bitの情報を情報をやりとりしていました。
その後、さらに改良されたＤＤＲ　ＳＤＲＡＭというものが出来ました。
このＤＤＲというのはDouble Date Rateの略でPrefetch 2というアーキテクチャ技術でＳＤＲＡＭの２倍の量のデータを送受信できました。
メモリの世界では通常1クロックで1回分のデータ転送しかできないところに、DDR技術では今の号令のごとく、電気が流れ出した（オンの状態）瞬間と、なくなる（オフの状態）瞬間の2回、データのやりとりをするように作られているわけです。（ディファレンシャルクロック方式）
そうして１クロックあたり2bitの情報をやりとりしています。

さらに2004年ごろからＤＤＲ２というものができました。
こいつはＤＤＲのさらに２倍の処理速度を可能にしているとの事！（Prefetch 4）
でも、ＡＭＤの製品には非対応の様子。ＡＭＤは2006年から対応商品を出す予定だそうです。
それにＤＤＲ２ではＤＤＲよりもさらに高クロックでの動作が可能になっています。
また、ＤＤＲ２は動作電圧は1.8Vで、DDRの2.5Vよりも低くなっているそうです。
つまり、ＤＤＲ２は電力消費も少なく、高速で動くということです。
ちなみにＤＤＲとＤＤＲ２では互換性がないので注意が必要ですね。
ＤＤＲは184pinでＤＤＲ２では240pinとなっています。
あとＤＤＲ２とＤＤＲでは同じ動作クロックのものを買うときには安くなっています。
これはPrefetch 4を採用しているため、同じ動作クロックを実現するためにはＤＤＲの半分のコアクロックでいいので、安く大量に作れるからです。

さらにもう開発の最終段階にきているＤＤＲ３も2007年には店頭に並ぶようです。
ＤＤＲ３ではPrefetch 8を採用し、さらに動作電圧は1.5Ｖまで下がるようです。

メモリについてくる数字

メモリを購入するときには数字がいくつかついてきます。

- DDR400-512M　PC3200規格184pin

とは、『メモリの種類がＤＤＲで動作クロックが200MHzで（ＤＤＲだから２倍の表記になっている）データ転送速度が3.2ＧＢ/ｓで184pinですよ』ということです。
上の話を読めば、下の表の意味はわかると思います。

メモリ	動作クロック	コアクロック
DDR 400 PC3200	400MHz	200MHz
DDR2 400 PC3200	400MHz	100MHz
DDR2 667 PC5300	667MHz	166MHz

動作クロックは当初は100〜133MHzがもっとも量産しやすく、167MHzになると、生産が困難になり、200MHzと達成不可能と2005年の春の段階で生産者側が言っており、当初はコアクロックが166MHzとなる、DDR333、DDR2-667、DDR3-1333あたりまでを上限と見ていたようです。実際、ＳＤＲＡＭはＰＣ133までしかありませんでした。
しかし、Intelなどが「もっと高速化しろ〜(｀´）」と言ったようで、200MHzまで引き上げられることとなったようです。
そのために最終的にはDDR400、DDR2-800、DDR3-1600を目指していくようですね。

あと、「ＣＬ３」とか「ＣＬ２.５」という数字がメモリにはついています。
ＣＬはCAS latencyの略です。
これはhttp://e-words.jp/w/CL.htmlを丸々使わせていただきます。
e-wordさんによりますと…
「メモリには半導体記憶素子が格子状に並んでおり、データの読み書きを行なう際には、対象となる素子の行(row)と列(column)を指定する必要がある。列を指定する信号をCAS(column address strobe)信号というが、この信号が発行されてから、実際にデータの読み書きが行われるまでにかかる遅延時間のことをCASレイテンシという。時間の単位は、コンピュータ内の各回路の同期に使われるクロック信号の発行回数(クロック数)が使われる。メモリの仕様表に「CL=2」「CL=3」などの表記があるが、これはCASレイテンシがそれぞれ2クロック、3クロックかかることを示している。一般にこの値が小さいほど動作速度が速い。」
とのことです。
非常にわかりやすく書かれていました。

あと、ＥＣＣとかRegisteredとかいろいろありますが、まぁ、普通に自作する分に関してはいらないのでカットしましょう！

メモリに関してはこんなもんでしょうか…